采用单辊法制备的TiNiCu非晶合金薄带一侧与冷却辊接触，一侧与空气接触。两侧的合金在冷却速率上存在一定的差异，这在薄带两侧的微观组织上有所反应。图3-14给出了制备态Ti5C)Ni25...

目前，利用甩带法制备的TiNi基记忆合金薄带包括TiNi 二元合金[5]、TiNiCu 合金[M]、TiNiHf 与 TiNiZr 合金p9】、TiNiHfRe 合金[25]、TiNiCuZr 合金[4)]以及 TiNiffiCu合金[4n等 。其 中 TiNiCu合金薄带由于...

图3-9所示为不同温度退火处理lh后,Ti51.3Ni2UCu27.6合金薄膜在不同外加应力下的应变-温度曲线[37]。其他成分的合金薄膜，如Ti51.4Ni25.2Cu23.4、Ti51.2Ni15.7Cu33.丨与Ti51.4Ni?.3Cu37.3,均表现出类似的应...

非晶态等原子比TiNi合金薄膜在晶化过程中成分不发生改变，即发生多晶型转变。形核后，晶粒呈球状，在晶粒长大过程中，新的晶核均匀出现在非晶基体上。随晶化时间延长，晶粒持续...

甩带法是一类典型的快速凝固技术，适用于制备厚度在20〜6 0 p m 的 TiNi基合金薄带。与传统的凝固技术相比较，利用快速凝固技术制备的TiNi基合金薄带具 有 以 下 4 个 方 面 的 优 势...

作为一种常见的物理气相沉积工艺，磁 控 溅 射 是 目 前制 备厚 度 在 0.5〜20nm 之 间 的 TiNi基合金薄膜的最佳手段。目前，磁控溅射制备的TiNi基合金薄膜包括 TiNiCu[1,] TiNiH#91、TiNiPd[1...