目前，利用甩带法制备的TiNi基记忆合金薄带包括TiNi 二元合金[5]、TiNiCu 合金[M]、TiNiHf 与 TiNiZr 合金p9】、TiNiHfRe 合金[25]、TiNiCuZr 合金[4<)]以及 TiNiffiCu合金[4n等 。其 中 TiNiCu合金薄带由于其具有较小的相变滞后、 良好的热循环稳定性以及可观的形状恢复特性等，在微驱动器材料领域展现出良好的应用前景。
制备态TiNiCu合金薄带多为非晶，普通晶化处理后薄带的晶粒尺寸约为数个微米，如 Santamarta等将非晶Ti5()Ni25Cu25薄带 在420°C退 火 lOmin, 薄带的晶粒尺寸 约为 1〜2 n m [42】。超细晶TiNiCu合金薄带多采用较为特殊的热处理工艺获得，如两步退火[431、电流加热1441与快速退火[45]。两 步 退 火 是 根 据 TiNi合金中晶粒长大的激活能要低于形核激活能，首先将非晶TiNiCu合金薄带在较高温度下进行第一步退火使非晶基体形核，而不是基体中残余的晶粒长大；第二步退火在较低温度下进行，其目的在于使第一步中形成的晶核长大。K i m 等[43]利用此方法获得了晶粒 尺寸在 0.25〜0.28nm的 Ti5()NiM Cu2()合金薄带。电流加热是根据动态再结晶，将非晶薄带利用电流脉冲加热极短的时间。Shelyakov等[44]利用此方法获得了晶粒尺寸 在 20〜6 0 n m的 Ti5CNi25Cu25合金薄带。快速退火是在极短时间内将非晶薄带加热至晶化温度附近，使其完成晶化的方法。极高的加热速率将影响相变机制和动力学，可实现晶粒细化等目的[46]。本节将主要介绍利用快速退火处理TiNiCu薄带的相关内容。
制备态TiNiCu合金薄带多为非晶，普通晶化处理后薄带的晶粒尺寸约为数个微米，如 Santamarta等将非晶Ti5()Ni25Cu25薄带 在420°C退 火 lOmin, 薄带的晶粒尺寸 约为 1〜2 n m [42】。超细晶TiNiCu合金薄带多采用较为特殊的热处理工艺获得，如两步退火[431、电流加热1441与快速退火[45]。两 步 退 火 是 根 据 TiNi合金中晶粒长大的激活能要低于形核激活能，首先将非晶TiNiCu合金薄带在较高温度下进行第一步退火使非晶基体形核，而不是基体中残余的晶粒长大；第二步退火在较低温度下进行，其目的在于使第一步中形成的晶核长大。K i m 等[43]利用此方法获得了晶粒 尺寸在 0.25〜0.28nm的 Ti5()NiM Cu2()合金薄带。电流加热是根据动态再结晶，将非晶薄带利用电流脉冲加热极短的时间。Shelyakov等[44]利用此方法获得了晶粒尺寸 在 20〜6 0 n m的 Ti5CNi25Cu25合金薄带。快速退火是在极短时间内将非晶薄带加热至晶化温度附近，使其完成晶化的方法。极高的加热速率将影响相变机制和动力学，可实现晶粒细化等目的[46]。本节将主要介绍利用快速退火处理TiNiCu薄带的相关内容。